5月24日，奕斯伟材料武汉基地第三工厂建设迎来新进展。伴随着最后一方混凝土浇筑，厂房主体结构全面封顶，标志着项目从蓝图规划全面迈入实景落地新阶段，为国产半导体硅材料产业发展筑牢根基。

项目地处武汉东湖高新区未来城科学岛，总投资约125亿元，建筑面积19万平方米。其不仅是公司提升产能规模、实现战略目标的核心布局项目，更是湖北省半导体硅材料领域的重点标杆工程，将进一步助力区域构建“芯片设计、晶圆制造、配套材料”协同发展的完整半导体产业生态。

根据规划，项目建成并全面达产后，将形成月产60万片12英寸电子级硅片的生产能力，相关产品可广泛应用于高性能存储芯片、先进逻辑芯片、高端图像传感器等主流芯片领域，匹配快速发展的市场需求，将进一步提升我国高端半导体硅片的供应能力。

项目将于2026年四季度实现首批设备搬入，2027年上半年实现首批产能投产，预计2030年达产。届时，奕斯伟材料总产能将提升至约180万片/月以上，全球市占率将达13%，有望位居国内第一、全球前三。

当前，12英寸硅片市场需求正呈现强劲且结构化的增长态势。在AI、数据中心等领域爆发式增长的推动下，市场对先进制程芯片的需求激增，进而强力拉动了对12英寸硅片的需求。据 SEMI 预测，2026 年全球 12 英寸量产晶圆厂数量预计达 215 座，其中中国大陆占 70 座；2028 年全球 12 英寸晶圆月产能将攀升至 1110 万片，创下历史新高。行业需求持续扩容，作为核心衬底材料的 12 英寸硅片，市场发展空间巨大。中信证券研报也指出，AI需求驱动下半导体硅片行业正在进入上行周期，看好中国硅片公司的长期成长性。

第三工厂是公司在华中地区的关键战略布局，下一步项目将加快推进机电安装、设备调试等各项筹备工作，全力推动产品送样及规模化量产落地，加速赋能国内半导体硅材料产业升级，为行业自主稳健发展注入强劲动能。